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AES俄歇電子能譜專輯之原理篇

更新時(shí)間:2024-01-19點(diǎn)擊次數(shù):648

1925年P(guān)ierre Auger在威爾遜云室中發(fā)現(xiàn)了俄歇電子,并進(jìn)行了理論解釋,俄歇電子以他的名字命名。1953年,James Joseph Lander使用了電子束激發(fā)俄歇電子能譜,并探討了俄歇效應(yīng)應(yīng)用于表面分析的可能性。1967年Larry Harris提出了微分處理來(lái)增強(qiáng)AES譜圖信號(hào)。美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)的Roland Weber, Paul Palmberg和他們的導(dǎo)師Bill Peria進(jìn)行的研究揭示了俄歇電子能譜的表面靈敏特性,研制了早期商用俄歇表面分析儀器(如圖1所示),并基于此在1969年成立了PHI公司(Physical Electronics)。目前,俄歇電子能譜(Auger Electron Spectroscopy, AES)作為對(duì)導(dǎo)電樣品進(jìn)行表面化學(xué)分析的重要工具,通過(guò)電子束進(jìn)行聚焦和掃描可實(shí)現(xiàn)對(duì)納米和微米尺寸內(nèi)物質(zhì)表面分析。

圖1. 美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)Roland Weber, Paul Palmberg, Bill Peria研制的LEED-AES裝置

俄歇電子產(chǎn)生的原理,一般是由三個(gè)電子參與的躍遷過(guò)程,當(dāng)一定能量的電子束轟擊固體樣品的表面,將樣品原子的內(nèi)層電子擊出,使原子處于高能的激發(fā)態(tài),外層電子躍遷到內(nèi)層的電子空位,同時(shí)以兩種方式釋放能量:前一種方式是外層軌道電子向內(nèi)躍遷填充空位產(chǎn)生X射線;第二種方式是外層軌道的電子向低能級(jí)的空穴躍遷并釋放出一定的能量,去激發(fā)同一軌道或更外層軌道的電子,使得該電子被激發(fā)出來(lái),該電子稱之為俄歇電子。

俄歇電子的動(dòng)能等于前兩個(gè)能級(jí)能量差減去第三個(gè)能級(jí)的束縛能,EKLL = EK - EL - EL’,其帶有元素特征的信息,可以進(jìn)行元素判定。三個(gè)字母描述分別是:首字母是電子空穴在哪里產(chǎn)生,第二個(gè)字母是哪個(gè)電子回填,第三個(gè)字母是對(duì)應(yīng)激發(fā)出去的電子。如圖2所示,K層電子被激發(fā)產(chǎn)生空穴,L2中的電子回填,釋放的能量傳遞給L3中的一個(gè)電子,導(dǎo)致L3電子激發(fā)出去,所以對(duì)應(yīng)俄歇躍遷為KL2L3,也可以直接寫成KLL。

圖2. 俄歇電子產(chǎn)生過(guò)程

俄歇電子能譜測(cè)試是采用精細(xì)聚焦掃描電子束激發(fā)樣品,典型的電子束電壓為3 kV~ 30 kV,電子束激發(fā)出的信號(hào)包括:(1)二次電子,通常能量比較低;(2)背散射電子,通常包括材料的一些能量損失,具有非常普遍的能量分布,并構(gòu)成俄歇譜中的大部分背景信號(hào);(3)特征X射線,X射線的能量取決于樣品的元素;(4)俄歇電子,俄歇電子的能量同樣取決于樣品的元素。如圖3所示,俄歇電子以相對(duì)較小的譜峰出現(xiàn),并疊加在二次電子和背散射電子的連續(xù)本底上,所以俄歇電子譜圖需要進(jìn)行微分處理,以減小本底信號(hào),增強(qiáng)俄歇信號(hào)。

圖3. 俄歇譜示意圖

俄歇電子的典型動(dòng)能在100-2000 eV, 非彈性平均自由程λ較小,95%的俄歇信號(hào)來(lái)自于表面3λ以內(nèi),所以俄歇電子能譜通常探測(cè)深度小于5納米,具有較高的表面靈敏度。而特征X射線具有較大的逃逸深度,所以EDX能譜的探測(cè)深度通常是微米級(jí),主要給出材料體相信息。

圖4.俄歇電子和特征X射線的探測(cè)深度分布的示意圖

根據(jù)上述俄歇電子能譜的原理,AES主要于分析固體材料表面納米深度的元素(部分化學(xué)態(tài))成分組成,可以對(duì)納米級(jí)形貌進(jìn)行觀察和成分表征。AES既可以分析原材料(粉末顆粒,片材等)均勻表面組成,又可以分析材料或特定產(chǎn)品表面缺陷如污染、腐蝕、摻雜、吸附、雜質(zhì)偏析等,同時(shí)還具備深度剖析功能表征鈍化層、摻雜深度、納米級(jí)多層膜層結(jié)構(gòu)等。俄歇電子能譜的應(yīng)用領(lǐng)域目前已突破傳統(tǒng)的金屬和合金范圍,擴(kuò)展到納米薄膜、微電子、光電子和新能源等領(lǐng)域,未來(lái)在新材料研制、材料表面性能測(cè)試與分析中都將發(fā)揮其不可替代的優(yōu)勢(shì)。

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